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磁控濺射技術的優缺點分(fèn)析介紹

作者: 來源(yuán): 日(rì)期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1259
        磁(cí)控濺射技術自誕生以來,得到了較快的發展(zhǎn)和較廣的(de)應用,對其他鍍膜方法(fǎ)的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐,久久成色免费真空總結出(chū)這種(zhǒng)技術的優缺點,如下文所示。

  優點:
  1.沉積(jī)速(sù)率高,襯(chèn)底溫升低,對薄(báo)膜損傷小;
  2.對(duì)於大多數材料,隻要能製造(zào)出靶(bǎ)材,就可以實現濺射(shè);
  3.濺射得到的薄膜與基(jī)底結(jié)合良好;
  4.濺射得到的(de)薄膜純度較高,密度好,均勻性好(hǎo);
  5.結果表明,濺射(shè)工藝具有良好的重複性,在大麵積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜;
  6.可以準確控製塗層厚度(dù),通過改變參數來(lái)控製薄膜的粒徑;
  7.不(bú)同的金屬(shǔ)、合金和氧化物可(kě)以混合,同時濺射在基體(tǐ)上;
  8.易於工(gōng)業化。


  但是磁控濺射也存在一些問題
  1.該技(jì)術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁(cí)場跳躍。因此,由環形磁場(chǎng)控製的區域是等離子體密度較高的(de)區域。在(zài)該技術中,我們可(kě)以看到濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒,形成(chéng)光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分(fèn),它會濺出一個(gè)圓形的溝槽(cáo)。環形(xíng)磁場是(shì)電子運動的軌道,環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶(bǎ)材的濺射槽一旦穿(chuān)透靶材,整個靶材就(jiù)會報廢,靶材利用率不高,一般低於40%;
  2.等(děng)離子體不穩(wěn)定;
  3.由於基本(běn)的磁通量均不能通過磁性(xìng)靶,所以在靶(bǎ)麵附近不可(kě)能產生(shēng)外加(jiā)磁場。
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