物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術：
        真空（kōng）卷繞鍍膜(卷對（duì）卷)是在真空下應用不同方法在柔性基體上實現連續鍍膜的一種技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動（dòng）和表（biǎo）麵分析等多方麵內容。其重點是，在保證鍍膜質量前提下（xià）提高卷繞速率、控製鍍膜穩定性（xìng）及（jí）實施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作、與柔性基底（dǐ）相容、生產率高及可連續鍍多層（céng）膜等優點。第一台真空（kōng）蒸發卷繞鍍膜機1935年製成，現可鍍幅寬由500至2500mm。卷（juàn）對卷（juàn）技術應用由包裝和裝（zhuāng）飾（shì）用膜，近年逐（zhú）漸擴大至激（jī）光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是（shì）未來柔性電子等（děng）行業的主流技術之一。
        真空卷繞鍍膜係統按結構可分為單室、雙室和多室真空卷繞係統，後兩者可解決開（kāi）卷（juàn）放氣問題並分別控製卷繞（rào）和鍍膜室各自真空度。卷繞張力控製分錐度、間接和直接控製模型，錐度控製（zhì）模型可解決薄膜褶（zhě）皺和（hé）徑向（xiàng）力分布不均的問題；間接（jiē）張力控製無需傳感器，可用（yòng）內置張力控製模（mó）塊的矢量變（biàn）頻器（qì）代替；直接張力控製通過張力傳感器精確測量張（zhāng）力值，但需慣性（xìng）矩和角速度（dù）等多種參數。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發、磁（cí）控濺射等方式，可用於製備新型高折射率薄膜、石（shí）墨烯等納（nà）米材料和柔性太陽能電池等半導體器件。針對真空卷繞鍍膜技術研究（jiū）現狀及向產業化過渡存在的問題（tí），最後作了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍膜和電氣控製等係統組成。真空卷繞（rào）鍍膜（mó）設備根據真空室有無擋板，可分單室、雙室和多（duō）室結（jié）構（gòu）。單室的收放卷輥和鍍膜輥在同一室中，結構簡單但開卷時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統（tǒng）用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約（yuē）1.5mm，避（bì）免了類似開卷放氣問題（tí）。多室常用於製備（bèi）複（fù）合薄膜（mó），在雙室基礎上將相鄰鍍膜區（qū）用擋板隔（gé）開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆（fù）50μm的銅層。分隔擋板與（yǔ）真（zhēn）空室壁狹縫越小越好。據鍍膜時輥筒作用分為單主輥和多主輥卷繞鍍膜機。據電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電機驅動係統。

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