偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加（jiā）在基體上的負電壓。偏（piān）壓電源的正極接到真空室上（shàng），同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電（diàn）壓一般認為（wéi）是（shì）零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對（duì）於基片的加熱效應（yīng）；
清除基片上吸附的氣體（tǐ）和油汙等，有（yǒu）利於提高膜層（céng）結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（Arc Ion Plating)中的大（dà）顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根（gēn）據波形可分為：
直流偏（piān）壓
直流脈衝偏壓
直流（liú）疊加脈衝偏（piān）壓
雙極性脈衝（chōng）偏壓（yā）

直流偏壓和脈衝偏壓的比較

傳統的電弧離子鍍是在（zài）基片台上施（shī）加直流負偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火（huǒ）溫度低的（de）基體上沉積硬質膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過（guò）提高（gāo）離子轟擊（jī）能量合成高反應閾能的硬質薄（báo）膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝（yì）中,為了（le）抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致（zhì）的基體溫度過高,主要采取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些措施可以概括地稱為能量控製法'這種方法雖然（rán）可以降低沉積溫度,但也使薄（báo）膜的某些性能下降,同時還（hái）降低了生產效率和薄（báo）膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中,由於離子是以非連續的脈衝（chōng）方式轟擊基體（tǐ）表麵,所以通過調節脈衝偏壓（yā）的占空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果（guǒ）,達到調控沉積溫度的目（mù）的。這樣就可（kě）以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調節,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊（jī）效應以（yǐ）改善薄膜的組織和性能,通過降（jiàng）低占（zhàn）空比來減小（xiǎo）離子轟擊的總加（jiā）熱（rè）效應（yīng）以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響機製（zhì）是很複雜的，下麵（miàn）列（liè）出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝（yì），觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響規（guī）律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨（jìng）化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應力

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